1. A 200-GHz Inductively Tuned VCO with -dollar7-dBm Output Power in 130-nm SiGe BiCMOS
پدیدآورنده : Chiang, PY; Momeni, O; Heydari, P
کتابخانه: کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان های اروپایی (قم)
موضوع :
تعداد ۲ پاسخ غیر تکراری از ۲ پاسخ تکراری در مدت زمان ۰,۴۴ ثانیه یافت شد.
